La course aux pixels vue par un pro...

[Mnemmeth]

Pour faire court
Le facteur limitant des photodiodes c'est le dark current, courant quantique ou de fuite, c'est a dire le courant intrinseque a la diode qd il n'y a pas de lumiere qui va dessus
Ce courant est du aux l'impact de la temperature qui a un rayonnement IR et donc genere des photons dans le silicium, est due au courant quantique passant par la jonction np du silicium.
Ce courant est a la base proportionnel a la surface de la diode.
Si on a une grande diode on a ce courant qui est plus eleve, mais c'est contre balance par la capacite de captation de photon de la diode permettant d'avoir des niveaux identifiables de maniere assez fine et d'avoir un gain en IL suffisant (ajoindre 2 diode ensemble permet aussi de recuperer un IL comme c'est fait sur le 1DX)
Si le courant est faible on aura plus de niveau et plus d'IL

Comment rendre ce courant plus faible:
-En controlant les atomes qu'on met dans la diode. Or ce controle est facilite en diminuant la taille de la diode
-En optimisant ce qu'on met. Le courant est fonction des dopants qu'on met dans la diode, de leur repartition en profondeur. Il y a pres de 200 etapes successives de fabrications on y va par touches successives car il faut aussi garder le controle industriel de la fabrication
-Passer d'une dependance a la surface a une dependance au perimetre: 1 IL de gain mais ca demande de diminuer la taille des photodiodes et on commence a y approcher .
-En changeant de materiaux: pas sur que vous apreciez de payer 100 fois plus cher le passage a l'AsGA
- en ajoutant une autre photdiode pour faire un montage pour soustraire le courant a ce qui est mesure par els autres diodes soumises a la lumiere: il faut de la palce pour ca, et donc on continue a diminuer la tailel des diodes.
- changer la matrice de bayer: par ajout d'un autre type de diode, ou passer en mode diodes sandwitch comme les foveons. (les photons penetrent plus ou moins dans la matiere en fonction de la longueur d'onde: bleu surface, vert 2 microns, rouge a 4-5microns d'ou l'idee de mettre la diode a ces profondeurs, sauf que ca coute bcp plus cher a produire et les controles des placement des atomes ne sont pas top)
- refroidissement du capteur: vous voulez un boitier plus gros ?

Bien sur les changement de techno doivent etre fait en sorte que la partie cmos fonctionne encore, ce qui rajoute un parametre supplementaire de complexification et ils gardent une certaines homogeneites avec les regles appliques aux noeud technologiques (la partie cmos doit suivre les parametres de ceux fait par TSMC). Ceci est valable tant que les 2 parties sont sur la meme face du capteur. Si on arrive a passer la partie cmos sur la face arriere du capteur on doit pouvoir ameliorer les choses.

[CELTICJRB]

AsGA = arsenic + gallium?

[Mnemmeth]

AsGA = arsenic + gallium?

Oui en effet, habitude d'ecriture
Il y a aussi Indium Phosphore, Indium Arsenure de Galium ... en fait les composes III-V du tableau periodique des elements (pour imager: il est plus facile a un saumon de remonter une cascade de 1m que de remonter par la face nord des chutes de Niagara