Durée de vie [
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Une cellule de mémoire flash ne peut être écrite (2008) que 10 000 (MLC - multiple-level-cell, 3 bits par cellule) à 100 000 (SLC - single-level-cell, 1 bit par cellule) fois
[1]. La raison en est que ces écritures nécessitent l'application de tensions plus élevées que la simple lecture, qui endommagent peu à peu la zone écrite. Les lectures, même répétées, ne lui causent en revanche aucun dommage.
La technique de
répartition de l'usure, par des procédés variant selon les constructeurs, diminue cet inconvénient; cependant, dans quelques mémoires destinées à remplacer les disques dur d'ordinateur
[2], on aurait observé à l'usage des ralentissements sensibles à l'écriture
[3], dus aux relocalisations de blocs successives.
Les constructeurs
Sun et
Micron envisagent de porter cette durée de vie à un million de cycles au moyen de la technologie NAND dans les disques SSD
[4]. Enfin, les promoteurs de la
mémoire ferroélectrique (autre technique flash en cours de développement) attribuent à cette dernière un potentiel de cent millions d'écritures
[5].