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  1. #1
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    Citation Envoyé par Mnemmeth Voir le message
    ah ben forcement a ce niveau la ...
    Expose correctement et a droite si tu monte les iso
    Mais en exposant à droite il faudra monter encore plus les iso du coup ?

  2. #2
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    Citation Envoyé par airwan Voir le message
    Mais en exposant à droite il faudra monter encore plus les iso du coup ?
    bruit qui se travaille assez bien (sauf en mode H) et donnera un meilleur resultat qu'une expo remontee a la main (traitement du signal)

  3. #3
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    Citation Envoyé par Mnemmeth Voir le message
    bruit qui se travaille assez bien (sauf en mode H) et donnera un meilleur resultat qu'une expo remontee a la main (traitement du signal)
    Euh bête question, c'est quoi le mode H?

  4. #4
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    Citation Envoyé par Nimitz_be Voir le message
    Euh bête question, c'est quoi le mode H?
    c'est l'extension des iso , la plage iso est ici de 100 a 6400, le mode H (high) permet d'avoir 12800 eniso. Mais le resultat est tres mauvais, on a une amplifation du signal extrement poussee.
    Sur les FF on a aussi le L (low) a 50iso (non dispo sur les apsc car les photodiodes ne le suporteraient pas qui consiste a augmenter la tension appliquee au circuit)

  5. #5
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    Citation Envoyé par Mnemmeth Voir le message
    c'est l'extension des iso , la plage iso est ici de 100 a 6400, le mode H (high) permet d'avoir 12800 eniso. Mais le resultat est tres mauvais, on a une amplifation du signal extrement poussee.
    Sur les FF on a aussi le L (low) a 50iso (non dispo sur les apsc car les photodiodes ne le suporteraient pas qui consiste a augmenter la tension appliquee au circuit)
    Merci

  6. #6
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    Citation Envoyé par Mnemmeth Voir le message
    Sur les FF on a aussi le L (low) a 50iso (non dispo sur les apsc car les photodiodes ne le suporteraient pas qui consiste a augmenter la tension appliquee au circuit)
    Alors la , je suis preneur pour l'info car c'est vrai que j avais remarqué sans trop comprendre.
    Pourquoi on augmente la tension des photodiodes a 50 ISO, sachant qu'elles vont en prendre plein la tronche donc j'aurais pensé qu'on diminuerai les tensions pour eviter une surcharge du au "sureclairement" ?? mais franchement j'y connais pas grand chose

  7. #7
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    Citation Envoyé par francoistn Voir le message
    Alors la , je suis preneur pour l'info car c'est vrai que j avais remarqué sans trop comprendre.
    Pourquoi on augmente la tension des photodiodes a 50 ISO, sachant qu'elles vont en prendre plein la tronche donc j'aurais pensé qu'on diminuerai les tensions pour eviter une surcharge du au "sureclairement" ?? mais franchement j'y connais pas grand chose
    oula si ce n;est pas clair dites le

    Pour ameliorer la vitesse de capture du photo-courant on applique une tension aux bornes de la diode (polarisee en inverse).
    En fait, on etend la zone depletee (aka sans courant parasite) autour de la diode dans le substrat, les photons dans cette region generent leur photo-courant en interagissant avec le silicium, et il n'y que ce courant dans cette region qui va faiblement interagir avec le substrat.
    Du fait de la tensionappliquee il y a un champs electrique qui attire ce courant vers la diode.
    Cette tension est en general celle delivree par VDD de la batterie (1.8V, 3V 5V ou autre)
    La diode est typiquement une jonction pn qui a une tension de claquage autour de 6-10V donc on opere en dessous en prenant des marges (cf plus loin).

    Sous un eclairement standardise on a une quantite de courant dans la diode et vice versa (d'ou le iso natif) et correspond au max de courant que peut delivrer la diode en mode normal (= blanc). L'oppose est le dark courant quand il n'y a pas de lumiere qui est le minimum. L'ecart (en echelle log ) entre les 2 donne la dynamique du capteur
    Au dessus de ce courant on sature la diode. Si on depasse ce courant de saturation la diode commence a entrer en avalanche, et si on continue elle claque. On n'a pas encore reussi a mettre un protection ESD sur chaque photodiode (pas assez de place)

    Si on recoit moins de lumiere on genere moins de photo-courant. Si on veut attendre la valeur max de courant il faudrait beaucoup plus de temps ce qu'on ne peut ou veut pas. Donc on met en place des isos plus grand pour dire que a cette valeur de iso, on a ce photo-courant qui doit etre egal au max de courant, et on amplifie le signal. Au bout d'un moment la distinction entre 2 niveau est tres tenue ce qui fait qu'on n'a plus la capacite de les amplifier et cela donne les iso max. Cet iso max est dependant du digic et du substrat choisi.

    Si on recoit trop de lumiere, on peut coller un filtre. mais ce n'est pas forcement possible ou voulu. On peut echantilloner plus vite , mais on ne peut guere aller plus vite que 1/8000 ,on peut fermer mais a quoi ca sert d'avoir un 50F1.2 ...
    Il faut savoir que a technologie equivalente, les marges sont definies pour l'element le plus faible c'est a dire pour la diode en apsc.
    La tension de claquage est fixe au niveau technologique, mais en fait ce n'est qu'une partie du probleme, le nombre de charges importe aussi, le nombre de charges c'est le courant.
    Au dessus d'un certain niveau la diode claque du fait de phenomene d'avalanches (amplification du courant). La diode survit assez bien par contre plus on monte en courant plus on approche d'autres phenomenes physiques comme l'echauffement au niveau des contacts. Si on y arrive le contact pete litteralement et la diode ne repond plus. Donc le but est d'eviter d'arrive a cette extremite.

    Quelle est la difference entre une diode FF versus une diode apsc ? Reponse: la taille de la diode, elle est en gros 2 fois plus grande, donc on a en gros un max de courant 2 fois plus grand que sur l'apsc, ce qui donne une meilleure dynamique et donc un iso max plus grand dans la gamme de fonctionnement normale.

    Si on sacrifie un bout de dynamique mais qu'on augmente la tension appliquee a la diode, on peut capturer plus de photocourant pour le meme temps sans qu'elle sature (la zone de capture devient plus grande) on reste encore dans les marges grace a la taille de la diode. Le claquage de la diode est fonction de la tension et ou du courant. En restant a peut pres au meme courant max on reste encore dans les marges mais elles sont plus tenuws. Comme on est deja au max de courant pour l'apsc si on augmente la tension elle claque directement alors que le FF va survivre.

    Il est bon de noter que certaines diodes utilisent ce principe notamment pour les diodes qui peuvent mesurer les distances (spad), la diode fonctionne a sa tension de claquage (plus ou moins en fonction du principe utilise) et fonctionne comme un interrupteur: on envoie un photon sur un objet qui est reflechi, la diode voit ce photon et passe en avalanche. en comptant le temps qu'a mis le photon pour voyager on connait la distance de l'objet.

  8. #8
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    oula si ce n;est pas clair dites le

    Pour ameliorer la vitesse de capture du photo-courant on applique une tension aux bornes de la diode (polarisee en inverse).
    En fait, on etend la zone depletee (aka sans courant parasite) autour de la diode dans le substrat, .....
    Merci pour ces explication très détaillé et super-intérésent, faut dire que l'effet d'avalanche des diode date du lycée...

  9. #9
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