Meilleur(s) capteur(s) ?

[Mnemmeth]

Oui, j'ai oublié Foveon et omis de citer pas mal d'autres.
Il y a (avait?) également un bon paquet de fabricants "fab-less"

il y en a toujours, on fait fabriquer a TSMC, UMC et Tower Jazz nos capteurs d'image (les miens qui sont des capteurs de couleurs le sont a TSMC)

Les plus en avance sont Sony, Canon c'est dur a savoir ou ils en sont car ils ne publient pas

Tous pointent vers les memes techno de base: backside illuminated, Pinned, trench, RDL, cmos, BARC et microstructures car
* les backside (envoyer les photon par la face arriere du capteur) c'est pour eviter les niveaux d'interconnexions qui tuent les signaux optiques (quasiment rien en rouge) car on a des materiaux obligatoires pour faire les interco qui absorbent certaines frequences de photons.
* Pinned (junction enteree et isolee) pour avoir le moins de courant de fuite = meilleur dark current, seulement valable pour de petits pixels (avec on est capable de mesurer un electron venant d'un photon)
* trench (faire en fosse entre 2 pixels) pour separer les pixels physiquement (je suis en train de convaincre mes collegues d'y passer pour nos gros pixels ce qui implique de forcer TSMC de le mettre en place pour notre techno)
* RDL (couche de silicium de qq microns d'epaisseur, utilisee pour capter la lumiere deposee au dessus d'un wafer plus epais) pour mettre le circuit cmos le plus proche du pixel et avoir moins de perte de courant, et aussi d'optimiser les photons que l'ont souhaite collecter
* cmos pour recuperer les charges collectees dans la partie pinned
* BARC (couche d'antireflection de lumiere) pour avoir moins de reflection de photons a la surface du silicium et donc voir plus de photons
* microstructures pour diffuser la lumiere et avoir un rendu plus homogene dans les pixels

Toutes ces techno sont dependantes des choix d'optimisation des clients et different de l'un a l'autre