euh juste histoire de mettre mon grain de sel: en partant de la atille du cpateur et de son nombre de pixel vous aurez la surface maximale d'un photosite, en aucun cas la surface reelle du photosite lui meme...
Un photosite c'est une jonction P/N dont un cote est expose a la lumiere. Si tous les photosites sont contigues on a non pas xmillions de photsites mais un seul car la zone P (ou N depend des technologies) sera continue sur toute la surface comme le ferait un conducteur electrique tout bete (du cuivre par exempple)
Si on place des sortes de digues chaque photosites sera plus ou moins independant par rapport a ses voisins. Cette digue (FOX, STI, (deep) trench ou autre) permet de deconnecter electriquement par isolation plus ou ou moins profondément dans le silicium les photosites. Plus cette isolation sera large et moins de parasitage on aura entre photosites (courant de fuite).
Et cette largeur est loin d'etre negligeable ( a titre d'indication sur d'autres diode j'ai 10µm d'espacement entre des photosites qui font 800µm de long et 20µm de large, en longueur: pas important, en largeur: 33% non utilise par la photodiode)

Et c'est sans compter la partie CMOS qui recupere les informations, la ciruiterie qui masque la lumiere (meme si on utilise des films d'anti reflecttion)
Au final on doit presque pouvoir faire sauter 50% de la surface theorique pour avoir une surface utile